3月3日，国家第三代半导体技术创新中心(苏州)、江苏第三代半导体研究院与科技创新信息服务商联合发布《2023 Micro-LED产业技术洞察白皮书》(以下简称“白皮书”)。白皮书显示，Micro-LED技术研发活跃度高，全球专利申请已超过4万件。

　　Micro-LED是在一个芯片上集成高密度微小尺寸的LED阵列。相较于已大规模量产的LCD技术和OLED技术，Micro-LED具有寿命长、对比度高、分辨率高、响应速度快等性能优势，有望促使显示屏向轻薄化、小型化、低功耗、高亮度方向发展，被誉为“下一代微显示器技术”。

　　白皮书显示，Micro-LED产业呈现出市场潜力大、技术储备丰富、创新研发热度高涨的特征。从2017年开始，Micro-LED技术研发活跃度明显上升，目前正处于爆发式增长期，截至2022年6月，Micro-LED全球专利储备已超过4万件。

　　Micro-LED技术研发创新较活跃的区域主要集中在中国、美国和韩国。从创新主体来看，中国头部企业与国际龙头齐头并进，在专利申请量Top 15企业中，中国企业已占一半以上，其中京东方、华星光电2家中国企业已跻身全球前5。

　　中国科学院院士、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)主任郝跃表示：“我国正在大力实施创新驱动发展战略，中国科技正向着价值链的上游攀升。Micro-LED作为LED发展新赛道，市场增幅和市场潜力巨大。”

　　目前Micro-LED芯片已在眼镜、电视等显示场景实现产品化，但大部分产品还处于概念阶段，未实现大规模市场推广。其中，可靠性技术的应用是影响Micro-LED产业化进程的主要因素之一。

　　白皮书指出，Micro-LED产业化的关键技术难题主要集中在外延&芯片结构、巨量转移、全彩显示和显示驱动等技术领域。这些关键技术均已有了一定量的技术储备，且正在加速技术攻坚，随着关键技术的突破和逐渐成熟，商业化和产业化成本大幅度降低，芯片良率进一步提高，Micro-LED预计将率先实现后端的显示场景应用。