中国科技大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室，近期在半导体门控量子点的研究中取得重要进展。该实验室的郭国平教授研究组与其合作者深入探索二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。

　　经过几十年的发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为量子芯片的热门候选体系之一。以石墨烯为代表的二维材料体系因为其天然的单原子层厚度、优异的电学性能、易于集成等优点，成为柔性电子学、量子电子学的重点研究对象。然而自石墨烯被发现之后的十几年里，科学家们经过大量的实验尝试，发现石墨烯中能带结构、界面缺陷杂质等因素对量子点器件的性能有很大的影响。直到目前，二维材料中的量子点还无法实现有效的电学调控。

　　针对这种情况，郭国平研究组与日本国立材料研究所Takashi　Taniguchi和Kenji　Watanabe研究员以及理化研究所的Franco　Nori教授合作，选择新型二维材料二硫化钼进行深入研究。该材料具有合适的带隙、较强的自旋轨道耦合强度以及丰富的自旋－能谷相关的物理现象，因此在量子电子学，尤其是自旋电子学和能谷电子学中具有广阔的应用前景。

　　经过大量的尝试，研究组利用微纳加工、低温LED辐照等一系列现代半导体工艺手段，结合当前二维材料体系研究中广泛采用的氮化硼封装技术，有效减少了量子点结构中的杂质、缺陷等，首次在这类材料中实现了全电学可控的双量子点结构。