5月24日，南京国博电子股份有限公司（下称“国博电子”）获得证监会同意其IPO注册的批复，公司即将登陆科创板。国博电子实控人为中国电子科技集团有限公司，公司也将成为中国电科旗下第一家在科创板上市的公司。国博电子此次IPO拟募资26.75亿元，将用于射频芯片和组件产业化项目及补充流动资金。

　　产品市场占有率国内领先

　　国博电子主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售，产品主要包括有源相控阵T/R组件、砷化镓基站射频集成电路等，覆盖军用与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路相关产品的领先企业。

　　招股书（注册稿）显示，2018—2020年及2021年上半年，公司分别实现营业收入17.24亿元、22.25亿元、22.12亿元、11.32亿元；归属于母公司所有者的净利润分别为2.52亿元、3.67亿元、3.08亿元、1.93亿元。

　　经审阅的财报显示，2021年，国博电子实现营业收入为25.09亿元，较上年增长13.40%，归属于母公司净利润3.68亿元，较上年增长19.46%，公司表示，2021年净利润增长率高于营业收入增长率主要系产品结构变化所致。2021年公司主动减少毛利率较低的技术设计与工艺成熟射频芯片产品业务，公司毛利率较高的T/R组件收入上升，导致公司净利润增长率高于营业收入增长率。

　　报告期内，国博电子主要收入来源于有源相控阵T/R组件和射频模块、射频芯片。公司T/R组件和射频模块业务与射频芯片业务相辅相成，相互协同。射频芯片是T/R组件、射频模块的重要组成部分。公司产品有源相控阵T/R组件主要应用于精确制导、雷达探测等领域，射频模块应用于移动通信基站等领域，射频芯片则应用于移动通信基站、终端、无线局域网等通信系统。

　　截至招股书签署之日，国博电子建立了以化合物半导体为核心的技术体系和系列化产品布局，产品覆盖芯片、模块、组件。军用领域，国博电子作为参与国防重点工程的重要单位，为陆、海、空、天等各型装备配套了大量的关键产品，确保了以有源相控阵T/R组件为代表的关键军用元器件的国产化自主保障，为我国国防装备发展做出了重要贡献。除整机用户内部配套外，国博电子产品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵T/R组件研发生产平台。民用领域，国博电子作为基站射频器件核心供应商，砷化镓基站射频集成电路技术处于国内领先、国际先进水平，为我国自主可控产业链构建和产业链安全做出了重大贡献。

　　技术与产品创新优势明显

　　报告期各期，国博电子研发费用分别为9200.43万元、1.63亿元、2.08亿元、1.03亿元，占当期收入比例分别为5.34%、7.31%、9.38%、9.08%。公司持续进行研发投入，掌握多项具有自主知识产权的核心技术，为公司带来了持续的利润增长。

　　据了解，国博电子的技术先进性表现在多个业务领域。具体来看，在T/R组件领域，公司积累了多项关键核心技术，研制了数百款有源相控阵T/R组件，其中定型或技术水平达到固定状态产品数十项，产品广泛应用于弹载、机载等领域。公司在有源相控阵T/R组件领域，公司处于行业领先位置，取得较多成果。在射频模块领域，国博电子根据客户需求，开发出大功率控制模块、大功率放大模块等高集成度的产品，产品关键技术指标处于国内领先、国际先进水平。在射频芯片领域，公司掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，国博电子形成了系列化的砷化镓化合物半导体产品。同时，公司制造工艺技术一直处于射频微波组件制造行业内领先水平，现有工艺技术可实现360通道有源相控阵T/R阵列的集成制造。

　　依托于雄厚的研发实力和优良的工艺技术，在上述领域公司承担了多项军委科技委、装备发展部重大科研任务，以及发改委“移动通信用砷化镓射频集成电路产业化项目”、工信部“面向5G通信的射频前端关键器件及芯片”、江苏省工业和信息化厅“集成电路PA、LNA等射频有源器件攻关项目”等国家重大专项及省级项目。国博电子表示，上述专项的研发经验让公司的研发实力不断提升突破，使得公司的技术一直保持行业领先地位。

　　截至招股书签署之日，公司共有专利60项（其中发明专利35项），软件著作权9项，集成电路布图设计65项，且公司核心技术人员累计获得多项科学技术奖。

　　对于未来发展战略规划，国博电子表示，公司将紧密结合国家战略新兴产业政策导向和“新基建”市场需求，通过研发生产平台的持续投资建设和人才团队建设，加强核心技术及前沿技术的研究，提升公司自主创新能力，增强公司可持续发展能力，建设具有国际竞争力的射频器件企业，保障国家电子信息产业安全。