10月18日，普冉股份（688766.SH）在披露的投资者关系活动记录表中称，公司MCU（微控制器芯片）及NOR Flash（闪存芯片）两条产品线价格跌势持续收窄，目前判断处于磨底阶段。后续会根据供需关系灵活调整市场策略。
普冉股份主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要产品包括：NOR Flash和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两大类非易失性存储器芯片、MCU以及模拟产品。
关于产品下游领域应用，普冉股份表示，公司产品主要应用于手机、电脑、可穿戴、智能设备等消费电子市场，通信、工控及车规市场等。目前手机、电脑、可穿戴等消费电子占比较多。公司会不断夯实消费电子底盘，持续拓展工控及车规等高端市场，不断扩大份额。
对于公司SONOS工艺的NOR Flash制程迭代情况，普冉股份称，公司推出的第一代产品是55nm制程，第二代产品迭代到40nm制程，目前两种制程产品出货比例相当，后续公司会继续提高40nm产品的替代率。40nm以下新一代工艺产品公司已经完成流片，更为领先制程的产品可以为公司带来较好的性价比优势。
记者注意到，近期多家半导体公司均在接受投资者调研时表达了对存储芯片市场的乐观展望。据了解，存储器芯片市场由DRAM（动态随机存取存储器）、NAND Flash（数据型闪存芯片）和NOR Flash、EEPROM等细分市场组成。
例如，江波龙表示，存储主要市场中，NAND Flash的整体涨幅更为一致，DRAM不同产品的涨幅存在较大差异。尽管目前下游市场对存储器的采购需求有一定的恢复，但后续的涨价幅度与涨价频率，取决于下游终端需求能否形成持续支撑，需要持续关注宏观经济复苏情况。佰维存储近日也表示，当前行业正在回暖复苏中，上游原厂逐步提高晶圆及颗粒售价，公司将密切关注行情后续走势。
与此同时，机构也预判四季度存储芯片市场持续复苏，有望进入新一轮涨价周期。万和证券认为，鉴于8月底存储器产品价格已来到相对低点，以及存储芯片厂商持续减产并酝酿涨价，其认为存储芯片周期底部位置已较为明确，四季度价格回暖态势显著。东海证券表示，随着主要存储制造商的持续减产，市场去库存效果已经显现，原厂强势拉涨的决心强烈，上游资源供应明显趋紧，NAND闪存价格将持续保持上涨态势，而DRAM的复苏要稍微晚一些，预估将于今年第四季度开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。从第四季度起存储芯片市场或将迎来供不应求的局面，作为半导体产业应用面最广、标准化程度最高的产品，有望推动半导体产业复苏。
